Sanken - Shenzhen Dike Microelectronics Co., LTD

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描述	FET 类型	漏源电压（Vdss）	25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）	Vgs（最大值）	不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	功率耗散（最大值）	工作温度
30V N-CHANNEL MOSFET 40V N-CHANNEL ALPHASGT	N 通道	30 V 40 V	24A（Ta），46A（Tc） 34.5A（Ta），54A（Tc）	4.5V，10V	3.1 毫欧 @ 20A，10V 6.2 毫欧 @ 20A，10V	2.3V @ 250μA 2.5V @ 250μA	60 nC @ 10 V 70 nC @ 10 V	±20V	2500 pF @ 15 V 3830 pF @ 20 V	6.2W（Ta），100W（Tc） 6.2W（Ta），45W（Tc）	-55°C ~ 150°C（TJ）

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描述

FET 类型

漏源电压（Vdss）

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）

Vgs（最大值）

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）

功率耗散（最大值）

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