UMW - Shenzhen Dike Microelectronics Co., LTD

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描述	FET 类型	漏源电压（Vdss）	25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）	Vgs（最大值）	不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	功率耗散（最大值）	工作温度
30V 4.1A 52MR@10V,4.1A 1.4W 3V@2 30V 4.1A 65MR@10V,4.2A 350MW 1.3 30V 5.8A 28MR@10V,5.8A 1.4W 3V@2 30V 5.8A 35MR@10V,5.8A 1.4W 1.4V S0T-23 MOSFETS ROHS SOP-8 MOSFETS ROHS SOT-23 MOSFETS ROHS	N 通道 P 通道	100 V 20 V 30 V 40 V 60 V	10A（Ta） 115mA（Ta） 12A（Ta） 14A（Ta） 2A（Ta） 4.2A（Ta） 5.8A（Ta） 6.5A（Ta） 6A（Ta）	1.8V，4.5V 2.5V，10V 4.5V，10V 5V，10V	12 毫欧 @ 14A，10V 15 毫欧 @ 10A，10V 18 毫欧 @ 10A，10V 20 毫欧 @ 7A，10V 25 毫欧 @ 5.8A，10V 28 毫欧 @ 5.8A，10V 42 毫欧 @ 6.5A，10V 45 毫欧 @ 6A，10V 5 欧姆 @ 500mA，10V 50 毫欧 @ 4.2A，10V 52 毫欧 @ 4.1A，10V 70 毫欧 @ 2A，4.5V 79mOhm @ 5A, 10V	1.3V @ 250μA 1.4V @ 250μA 1.5V @ 250μA 2.5V @ 250μA 2.7V @ 250μA 3V @ 250μA	- 11 nC @ 10 V 12 nC @ 4.5 V 14.3 nC @ 4.5 V 17 nC @ 10 V 20 nC @ 10 V 22 nC @ 10 V 29 nC @ 4.5 V 55 nC @ 10 V 8 nC @ 4.5 V 8.6 nC @ 10 V 9.4 nC @ 4.5 V	±12V ±20V ±8V 20V	1050 pF @ 15 V 1690 pF @ 25 V 1920 pF @ 20 V 3000 pF @ 20 V 448 pF @ 15 V 50 pF @ 25 V 520 pF @ 15 V 600 pF @ 10 V 700 pF @ 15 V 820 pF @ 15 V 942 pF @ 50 V 954 pF @ 15 V	1.1W（Ta） 1.4W（Ta） 1.7W（Ta） 2.5W（Ta） 225mW（Ta） 3.1W（Ta）	150°C（TJ） -55°C ~ 150°C（TJ）

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25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）

Vgs（最大值）

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）

功率耗散（最大值）

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